.M.2 NVMe SSD 500GB Samsung 960 EVO [PCIe 3.0 x4, R/W:3200/1800MB/s, 330/330K IOPS, Polaris, TLC]

Samsung 960 EVO Непревзойденная производительность, энергоэффективность и долговечность Если вы искали исключительно производительный твердотельный накопитель с бескомпромиссными характеристиками, то SSD серии 960 EVO именно для Вас. SSD 960 EVO объединяет передовую V-NAND память, высокопропускную шину PCI Express 3.0 x4, с минимальной задержкой обработки большого объема данных, и современный компактный формат M.2, ориентированный на будущее и идеально подходящий для hi-end PC и производительных рабочих станций. Испытайте новейшие технологии SSD уже сегодня Оснащенный повышенной пропускной способностью благодаря NVMe, SSD 960 EVO идеально подходит для интенсивных нагрузок, таких как: системы автоматизированного проектирования, анализ данных и симуляция инженерных расчетов. Он превосходит SATA SSD, более чем в 4.5 раза в последовательном чтении и более чем в 2.5 раза в последовательной записи. Максимальная производительность вкупе с низким энергопотреблением В сравнении с SATA SSD энергопотребление SSD 960 EVO в 1.5 раза ниже, что выражается в большем времени работы ноутбука от одного заряда батареи при обработке данных и симуляции инженерных расчетов. SSD 960 EVO обеспечивает высочайшую производительность и малое энергопотребление. Надежность при высоких нагрузках Инновационная V-NAND память, используемая в SSD 960 EVO, продлевает срок службы с помощью изоляторов, которые более устойчивы к износу при тяжелых рабочих нагрузка в течение 3 лет. SSD 960 EVO также имеет технологию троттлинга — защита, заключающаяся в контроле температуры устройства для снижения перегрева и поддержки высокого и устойчивого уровня эффективности. Объем: 250 ГБ Скорость чтения Скорость последовательного чтения: до 3200 МБ/с Скорость записи Скорость последовательной записи: до 1500 МБ/с Энергопотребление до 5.13 Вт Время наработки на отказ 1.5 миллиона часов (MTBF) Формфактор M.2 Устойчивость к ударным нагрузкам 1500 G (на протяжении 0.5 мс) Тип ячеек памяти 3D V-NAND Тип накопителя Внутренний Интерфейс PCI Express 3.0 x4